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DFG8540
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DFG8560
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| 可切削的晶片直径 |
Max φ8"(φ4" - φ8") |
Max φ300(φ8" - φ12") |
| 结构布置 |
2根主轴、3个工作盘(公转台方式) |
| 应用领域 |
100um以下的超薄研削 |
| 研削方式 |
通过旋转晶片，实施纵向切入方式 |
| 主轴 |
使用主轴 |
高频电机内装式空气静压主轴 |
| 主轴数量 |
2 |
| 额定功率(kW) |
4.2 |
4.8 |
| 转速(min-1)[rpm] |
1,000 - 7,000 |
1,000 - 4,000 |
| Z轴行程(mm) |
120(附原点) |
Z轴研削进给速度
(mm/s) |
0.0001 - 0.08 |
| Z轴快速进给速度(mm/s) |
50 |
| Z轴最小指定移动量(µm) |
0.1 |
| Z轴最小移动量(µm) |
0.1 |
| 厚度测量器 |
测量范围(µm) |
0 - 1,800 |
| 分辨率(µm) |
0.1 |
| 重复定位精度(µm) |
±0.5 |
| 晶片工作盘 |
工作盘式样 |
多孔陶瓷工作盘 |
| 固定方式 |
真空固定 |
| 转速 |
0 - 300 |
| 工作盘数量 |
3 |
| 工作盘清洗 |
利用刷子和油石, 在水及压缩空气的喷射状态下进行清洗。 |
整面研削
(工作盘转速设定值) |
0 - 999 |
| 使用磨轮 |
金刚石研削磨轮(mm) |
φ200 |
φ300 |
| 晶片搬运部·清洗部 |
晶片盒器架数量 |
2 |
| 晶片盒部流程模式 |
同盒回收流程以及异盒回收流程 |
| 清洗装置 |
水清洗及干燥 |
| 真空装置 |
排气速度(m3/h) |
29/36(m3/h) 50/60(Hz) |
| 到达压力(kPa·G) |
-90(
在循环供水温度为
15°C、
供水流量为
1L/min
时
) |
| 电动马达(kW) |
1.5 |
| 所需水流量(L/min) |
供水温度在22°C以上:3 / 供水温度小于22°C:1 |
| 加工精度 |
单片晶片内的厚度偏差(µm) |
1.5以下(使用专用工作盘、研削φ8" 晶片时) |
| 晶片与晶片之间的厚度偏差(µm) |
±3以下 |
| 精加工后表面粗糙度(µm) |
Ry0.13左右(使用#2000磨轮进行精加工时)/Ry0.15左右(使用#1400磨轮进行精加工时) |
设备尺寸(WxDxH)
(mm) |
1,200 x 2,670 x 1,800 |
1,400 x 3,322 x 1,800 |
设备重量
(kg) |
约3,100 |
约4,000 |
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