| |
DFG8540
 |
DFG8560
|
DFG8830
|
 |
|
 |
 |
| 可研磨的晶片直徑 |
Max ø8"
(ø4" - ø8") |
Max ø300
(ø8" - ø12") |
Max ø6
(ø4" - ø6") |
| 結構配置 |
2根主軸、3個工作盤
(公轉台方式) |
4根主軸、5個工作盤
(公轉台方式) |
| 應用領域 |
100 um以下的超薄研磨 |
難磨材料研磨 |
| 研磨方式 |
利用晶片旋轉，進行縱向切入方式 |
| 主軸 |
使用主軸 |
高頻馬達內裝式空氣靜壓主軸 |
| 主軸數量 |
2 |
4 |
| 額定功率(kW) |
4.2 |
4.8 |
6.3 |
| 轉速(min-1)[rpm] |
1,000 - 7,000 |
1,000 - 4,000 |
| Z軸行程(mm) |
120（附原點） |
187 |
Z軸研磨進刀速度
(mm/s) |
0.0001 - 0.08 |
0.0001~0.05 |
| Z軸快速移動速度(mm/s) |
50 |
| Z軸最小指定移動量(µm) |
0.1 |
| Z軸最小移動量(µm) |
0.1 |
| 厚度測量器 |
測量範圍(µm) |
0 - 1,800 |
0 - 4,800 |
| 分辨率(µm) |
0.1 |
| 重復定位精度(µm) |
±0.5 |
±1.0 |
| 晶片工作盤 |
工作盤樣式 |
多孔陶瓷工作盤 |
| 固定方式 |
真空式 |
| 轉速 |
0 - 300 |
0 - 600 |
| 工作盤數量 |
3 |
5 |
| 工作盤清洗 |
利用刷子和油石, 配合工作盤內水及壓縮空氣混合噴出狀態下進行清洗。 |
|
整面研磨
(工作盤轉速設定值) |
0 - 999 |
| 使用研磨輪 |
金剛石研磨輪((mm) |
ø200 |
ø300 |
| 晶片搬運部・清洗部 |
單片晶片內的厚度偏差 |
2 |
4 |
| 晶片與晶片之間的厚度偏差 |
同盒回收流程(Same flow)以及異盒回收流程(Open flow) |
| 精加工後表面粗糙度 |
水洗浄而乾燥 |
| 真空裝置 |
排氣速度((m3/h) |
29/36(m3/h) 50/60(Hz) |
20/28(m3/h) 50/60(Hz) |
| 到達壓力(kPa・G) |
-90（在循環供水溫度為15℃，供水流量為1L/min時) |
| 電動馬達（kW） |
1.5 |
| 用水量（L/min） |
供水溫度在22℃以上: 3
供水溫度小於22℃: 1 |
30℃以下2.0
25℃以下1.5
20℃以下1.0 |
| 加工精度 |
單片晶片內的厚度偏差(µm) |
1.5以下(使用專用工作盤、研磨ø8"晶片時) |
3.0以下（使用專用工作盤、ø6"晶片時） |
| 晶片與晶片之間的厚度偏差(µm) |
±3以下 |
0 - 600 |
| 精加工後表面粗糙度(µm) |
Ry 0.13左右
(使用#2000研磨輪進行精加工時)
Ry 0.15左右
(使用#1400研磨輪進行精加工時) |
|
設備尺寸(WxDxH)
(mm) |
1,200 x 2,670 x 1,800 |
1,400 x 3,322 x 1,800 |
1,400 x 2,500 x 2,000 |
設備重量
(kg) |
約3,100 |
約4,000 |
約6,000 |
|
