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2007年10月23日

2つのレーザヘッドが搭載可能な新型レーザソーDFL7260を開発

株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：溝呂木斉）は、2台のレーザ発振器が搭載可能なレーザソーDFL7260を新たに開発しました。薄化が進むLow-kウェーハの完全切断を1台の装置で実現するなど、DFL7260の開発により、様々なアブレーション加工への対応が可能になります。
なお、本装置は12月に開催されるSEMICON Japan 2007に出展いたします。

*アブレーション加工とは

非常に強いレーザ光を短時間でワークに照射することにより、ワークを気化させる加工方法

開発の背景

近年、ICチップの微細化が進み、Low-k材料の比誘電率が低くなることによって、配線の機械的強度は脆弱になってきています。また、携帯電話をはじめとした各種電子機器の更なる軽薄短小化を実現するために、1パッケージ内のチップ積層枚数の増加やパッケージ自体の薄化を目的としたウェーハ薄化の要求が強くなっています。
ディスコでは、Low-kウェーハをデラミネーション（膜剥がれ）なく切断することができるアプリケーションとして、既に「レーザソー“DFL7160”によるレーザグルービング +ダイシングソー“DFD6361”によるブレードダイシング」を提案しております。しかしながら、ウェーハの薄化によりブレードダイシングの難易度が更にあがることを想定し、ディスコでは、レーザ加工のみでのウェーハ完全切断も視野に入れたアプリケーションの開発を進めてきました。
アブレーション加工は、被加工物の物性に合わせてレーザ加工条件を大幅に変更する必要があります。「Low-k膜のデラミネーションを抑える加工条件」と、「熱ストレスを極小化してシリコンを切断するための加工条件」はレーザ発振器の条件も相反するため、従来はレーザ加工のみでの完全切断を行う場合は「DFL7160」が2台必要でした。
このたび開発したDFL7260は、このようなアプリケーションを1台の装置で実現する事を可能にしました。

DFL7260の特徴

[2台のレーザ発振器によるアプリケーションの広がり]
DFL7260はレーザ発振器を2台搭載することができるので、対応できるアプリケーションの幅が広がります。例えば1台目の発振器を「Low-kグルービング用」、2台目の発振器を「シリコン切断用」とすれば、DAF（Die Attach Film）付きで厚さ100 µm以下のφ300 mm Low-kウェーハの完全切断が可能になります。（次項添付加工図参照）
また、1台目と2台目に同じ種類の発振器を搭載すれば、加工速度が大幅に向上し、生産性の向上にも貢献できます。