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2007年11月27日

SiCの高品位研削を実現する「GS08シリーズ」を開発

株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：溝呂木斉）は、電子機器の小型化・高機能化の進行に伴い、多様化する加工ニーズに応えるため、新たなグラインディングホイール「GS08シリーズ」を開発しました。
なお、本製品は12月に開催されるSEMICON Japan 2007に出展します。

開発の背景

SiCウェーハは、これまで青色・白色LED用基板として利用されてきましたが、近年はその高速動作・低電力損失・高耐電圧・高温動作というメリットから、パワーデバイスやRFデバイスでの採用が見込まれています。
しかし、SiCは硬度が非常に高い物質で、一般の半導体ウェーハ材料であるシリコン(Si)に比べ研削が非常に難しい素材です。従来スラリーなどを使用する加工方法が適用されていましたが、タクトアップやスラリーの処理コストの削減などが求められており、固定砥粒での高品位研削の確立が求められてきました。
ディスコはこうしたニーズに対し、シリコンウェーハと同等の高品位研削をSiＣウェーハで実現するグラインディングホイールGS08シリーズを開発しました。

製品の特徴

GS08シリーズは、独自に開発した多孔質のビトリファイドボンドにより、SiCウェーハの高品位研削を可能にしたグラインディングホイールです。固定砥粒での加工のため、スラリーが不要で、シリコンと同等の高品位な研削を実現できます。
また、シリコンウェーハのグラインディングでは、一般的に1軸で粗研削、2軸で仕上げ研削という2段階の研削を行っていますが、このたび開発したGS08シリーズでは、1軸のみの研削で仕上げ研削を行う事が可能です。

＜研削面粗さ＞

φ3"SiC研削時のウェーハ外周部の面粗さです。
一般的なシリコン研削とほぼ同等の品質が得られています。