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2009年11月25日

極薄ウェーハ仕上げの新しいソリューション「Gettering DP」を新たに開発
ドライポリッシュプロセスでゲッタリング性の維持を実現

株式会社ディスコ(本社:東京都大田区、社長:関家一馬)は、シリコンウェーハの極薄仕上げにおいて、粗研削、仕上げ研削後のドライポリッシュプロセスにおける新たなソリューションとして、「Gettering DP」という新たなホイールを開発しました。本製品は12月に開催されるSEMICON Japan 2009(12/2-4:幕張メッセ)に出展します。

開発の背景
フラッシュメモリやDRAMに代表されるメモリデバイスでは、SiP(System in Package)に内蔵するチップの薄厚化が進んでおり、その他のロジックやRFなどのデバイスについても、薄厚化へのニーズが高まっています。
従来のバックグラインド加工はシリコンウェーハを破砕モードで加工をおこなうため、破砕層と呼ばれる加工歪みが残り、ダイシング後のチップ実装においてウェーハの割れや欠けの要因となっていました。この破砕層を除去し、チップ強度を維持する事を目的としたDry Polish やCMP(Chemical Mechanical Polish)などによるストレスリリーフ工程が現在では一般的になっています。
しかしながら従来のストレスリリーフ手法においては、50µm以下の薄仕上げの際に、ゲッタリング効果が十分に得られなくなることから、重金属汚染による特性不良という新たな課題が生じるケースが出てきています。
「Gettering DP」はこうした課題に対する新たなソリューションとして開発されました。
 

*1

ゲッタリング効果とは、Si基板内(バルクもしくは裏面)に、結晶欠陥・歪みなど(=ゲッタリングサイト)を形成し、このゲッタリングサイトに汚染不純物を捕獲・固着する技術。

 

*2

ゲッタリング効果が得られなくなることで発生する重金属汚染によるデバイス破壊は、デバイスの素材やその他条件によって異なります。

特長
◆通常研削と同等のゲッタリング性
新開発のパッドを採用し、研削砥石による仕上げと同等のゲッタリング性を維持する事が可能
◆環境負荷の低いプロセス
ケミカルフリーなプロセスなため、環境負荷が少ないうえ、スラリーを使用するプロセスに比較して容易なオペレーションで薄ウェーハの研磨が可能になります。
◆高抗折強度の実現
ディスコが蓄積してきたドライポリッシュプロセスのノウハウを活かし、ゲッタリング性を維持しながらも、高い抗折強度を実現。
◆フルオートマチックグラインダ/ポリッシャDGPシリーズ の最終仕上げホイールとして使用可能
従来のドライポリッシングホイールと同様、ご好評いただいているフルオートマチックグラインダ/ポリッシャ DGP8761やDGP8760の最終仕上げ(3軸)用ホイールとして装着可能です。
【ウェーハダメージTEM比較】

Gettering DP Wheel

#2000 Wheel
【抗折強度比較(球抗折)】
【ゲッタリング効果】
Cu強制汚染前後のTXRF測定データ(φ8インチミラーウェーハ)
Gettering DP 研磨ウェーハ
汚染前のミラー面 汚染~拡散後
ミラーウェーハ (ストレスリリーフ面を想定)
汚染前のミラー面 汚染~拡散後
ミラーウェーハのサンプルは強制汚染後に反対面に析出されるCu量が1.0E11以上になるのに対し、Gettering DP サンプルは反対面に析出されるCu量が検出限界値以下(0.5E10 atoms/cm²以下)であることから、Gettering DP 面にゲッタリング効果があることがわかります。
今後の計画

SEMICON Japan 2009 出展

2009年12月

サンプル出荷開始

2010年1月

お問い合わせ先
本件に関するお問い合わせは以下の連絡先までお願いいたします。
株式会社ディスコ
広報室
Phone: 03-4590-1090 Fax: 03-4590-1076
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