레이저 다이싱

Ablation 가공

미세한 영역에 극단 시간에 레이저 에너지를 집중시켜 고체를 승화 ･ 증발시키는 가공방법입니다.

스텔스 다이싱 어플리케이션

레이저를 웨이퍼 내부에 집광하여 개질층을 형성, Tape expand 등으로 칩 분할을 실시하는 다이싱 방법입니다.

레이저에 의한 사파이어 가공

고휘도 LED는 휴대전화용 이외에 액정 텔레비전의 백라이트와 차량용 헤드라이트, 조명기기 등으로 응용범위가 넓어지기 시작했으며, 중장기적인 시장 확대가 예측되고 있습니다. 고휘도 LED에 사용되는 사파이어의 가공은, 종전에는 다이아몬드 스크라이버 등을 사용한 브레이킹이 주류였습니다. 그러나 시장 확대와 함께 처리율ㆍ수율 향상에 대한 요구가 높아지고 레이저에 의한 가공이 급속히 보급되어, 고휘도 LED용 사파이어 가공에서는 주류 프로세스가 되고 있습니다. 이번에는 DISCO의 레이저쏘를 사용한 사파이어 가공에 대해서 소개합니다.

DBG + DAF레이저 커팅

DBG（Dicing Before Grinding*1 프로세스는 연삭공정에서 칩 분할하여 이면 치핑을 저감할 수 있으며, 이에 따라 칩 항절강도를 향상할 수 있습니다. 또한, 연삭 종료단계에서 칩으로 분할되어 있으므로 특히 박막가공시의 웨이퍼 파손 리스크의 저감이 기대됩니다. 이러한 DBG프로세스에 DAF(Die Attach Film)*2을 적용할 수 있게 되면 SiP（System in Package） 등 박막 칩을 적층하는 패키지 제조에도. DBG프로세스 전개가 가능하게 됩니다. DBG프로세스에 DAF를 적용할 때에는 칩 분할된 웨이퍼 이면에 DAF를 점착하고 다시 DAF만을 커팅해야 합니다. 이 때의 DAF커팅을 레이저 풀 커팅으로 실시하는 어플리케이션을 이번에 소개합니다.

레이저 풀 커팅 다이싱

고주파 디바이스에 사용되는 GaAs(갈륨 비소)등의 화합물 반도체는 종래의 다이아몬드 블레이드를 사용한 다이싱(이하: 블레이드 다이싱)에서는 절삭속도가 느려, 높은 생산성을 기대하기가 어려웠습니다 또한, SiP(System in Package)등에 의한 고집적화를 배경으로 항절강도가 높은 박형 칩(Thin Die)의 제조기술 중요성이 나날이 높아지고 있습니다. 그러나 블레이드 다이싱에서는 웨이퍼 두께가 따라 다이싱의 난이도 또한 어렵습니다. DISCO에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 레이저쏘 DFL7161 레이저 헤드와 광학계의 최적화로 레이저에 의한 풀 커팅 어플리케이션을 확립하였습니다.

Low-k그루빙(Grooving)

고속로직(High-Speed Logic)의 절연막으로 사용되는 Low-k막은, 기계적으로 강도가 낮고 일반적인 블레이드 다이싱에서는 막의 박리가 발생할 위험이 있었습니다. 이 Low-k 막을 포함한 배선층을 레이저쏘에 의해 제거하는 것이 Low-k 그루빙의 프로세스입니다.