폴리싱

드라이 폴리싱(스트레스 릴리프)

최근, 컴퓨터나 휴대전화 등에 탑재되는 IC패키지의 소형화, 고정밀도화에 따라 패키지내의 디바이스도 소형화, 박화(Thinning)가 요구되고 있습니다. 디바이스 웨이퍼를 박화(Thinning)함에 따라서 칩 강도가 떨어져, 어셈블리공정에서 칩에 균열이 발생하거나 warpage가 증가하여 스택 패키지의 다이 본딩(Die bonding)등의 공정에서 문제가 되고 있습니다. 이와 같은 문제점을 개선하는 하나의 방법으로 그라인딩 공정 후에 스트레스 릴리프(Stress relief)를 도입하는 방법이 연구되고 있습니다. 스트레스 릴리프하는 방법으로는 주로, 하기 4가지 방법이 있습니다. 여기서는 드라이 폴리싱에 대해서 소개해 드립니다.

DBG+드라이 에칭

드라이 에칭(Dry Etching)을 DBG프로세스와 조합하면, 블레이드에 의한 칩 측면 데미지 제거 및 일반 그라인더와의 병용 하는 것 보다 더욱 칩 강도를 향상 시킬 수 있습니다. 또한, 이 프로세스에서는 다이싱(칩 분할) 후에 스트레스 릴리프를 하여, 그 후의 다이싱에 의한 기계적인 데미지가 발생하지 않습니다. 그 결과, IC카드 등의 패키징 후에도 외부에서 응력이 걸리는 디바이스 등의 신뢰성을 높일 수 있습니다.

웨트 폴리싱/Wet Polishing (CMP 등)

실리콘 디바이스에서는 IC패키지의 저배화와 소형화에 따라 내장칩의 박화가 요구되고 있어, 강도 향상을 위해 웨이퍼의 이면 연삭 후 스트레스 릴리프 공정을 실시하고 있습니다. 또한, 고휘도의 LED용 사파이어 기판(Al2O3), 고속통신기기 SAW 필터용 탄탈 산 리튬(LiTaO3)/니오브 산 리튬 기판(LiNbO3), 파워 디바이스용 탄화 규소 기판(SiC)등에서는 디바이스의 성능향상을 위해 이면 연삭 후 연마공정이 필요합니다.