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KABRA®※1・2プロセス対応レーザソー「DAL7440」を開発

半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ(本社:東京都大田区、社長:関家一馬)は、レーザ加工によるインゴットスライス手法・KABRA(カブラ)プロセス用Φ8インチ対応レーザソー「DAL7440」を開発しました。

※1
取得済特許・出願中関連特許合計58件(2018年1月9日時点)/商標登録済(登録第5850324号)
※2
インゴットの上面からレーザを連続的に垂直照射することで、光吸収する分離層を任意の深さへ扁平状に形成させ、これを起点に剥離・ウェーハ化するという従来にないスライス加工方法。KABRA=Key Amorphous-Black Repetitive Absorptionの略。プロセス詳細はKABRAプロセス特設サイトをご覧ください。
開発の背景

近年、シリコンに代わるパワーデバイスの材料として、SiCが注目されています。当社はレーザ加工によるSiCインゴットスライス手法・KABRAプロセスを開発し、SEMICON Japan 2016にてΦ6インチ対応のKABRAプロセス用レーザソー「DAL7420」を公開いたしましたが、既にΦ8インチのサンプルウェーハが出荷されるなど、大径化に向けた開発が進んでおります。このような背景やウェーハメーカーからの強い要望を受け、Φ8インチインゴットのKABRAプロセスに対応したレーザソー「DAL7440」を開発しました。なお、DAL7440はアメリカ地域でのテスト加工に柔軟に対応すべく、当社アメリカ・ノースカロライナオフィスへ2018年3月に設置予定です。

DAL7440特徴

DAL7440
Φ8インチインゴット対応
今後のインゴット大径化に対応
うねりの少ないウェーハスライスが可能
最大対応インゴット厚さ: 40 mm
アライメントフリー
オートアライメントによるオリフラ検知機能
インゴット厚み測定機能
ウェーハ印字機能
加工したウェーハの全数管理トラッキングが可能
装置サイズ:W750 × D1,350 × H1,800 mm
今後の予定
2018年3月(予定) : アメリカ拠点・DISCO HI-TEC AMERICA, INC.ノースカロライナオフィスへのテストカット機移設
ラインアップ:DAL7420

DAL7420

Φ6 inch インゴット対応KABRAプロセス用レーザソー

装置サイズ:W600 × D1,045 × H1,778 mm
お問い合わせ
プレスリリースについて
株式会社ディスコ 広報室
Phone: 03-4590-1090
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