KABRA®※1・2プロセス対応レーザソー「DAL7440」を開発

半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ(本社:東京都大田区、社長:関家一馬)は、レーザ加工によるインゴットスライス手法・KABRA(カブラ)プロセス用Φ8インチ対応レーザソー「DAL7440」を開発しました。

※1 取得済特許・出願中関連特許合計58件(2018年1月9日時点)/商標登録済(登録第5850324号)
※2 インゴットの上面からレーザを連続的に垂直照射することで、光吸収する分離層を任意の深さへ扁平状に形成させ、これを起点に剥離・ウェーハ化するという従来にないスライス加工方法。KABRA=Key Amorphous-Black Repetitive Absorptionの略。プロセス詳細はKABRAプロセス特設サイトをご覧ください。

開発の背景

近年、シリコンに代わるパワーデバイスの材料として、SiCが注目されています。当社はレーザ加工によるSiCインゴットスライス手法・KABRAプロセスを開発し、SEMICON Japan 2016にてΦ6インチ対応のKABRAプロセス用レーザソー「DAL7420」を公開いたしましたが、既にΦ8インチのサンプルウェーハが出荷されるなど、大径化に向けた開発が進んでおります。このような背景やウェーハメーカーからの強い要望を受け、Φ8インチインゴットのKABRAプロセスに対応したレーザソー「DAL7440」を開発しました。なお、DAL7440はアメリカ地域でのテスト加工に柔軟に対応すべく、当社アメリカ・ノースカロライナオフィスへ2018年3月に設置予定です。

DAL7440特徴

  • Φ8インチインゴット対応
    今後のインゴット大径化に対応
  • うねりの少ないウェーハスライスが可能
  • 最大対応インゴット厚さ:40 mm
  • アライメントフリー
  • オートアライメントによるオリフラ検知機能
  • インゴット厚み測定機能
  • ウェーハ印字機能
    加工したウェーハの全数管理トラッキングが可能
  • 装置サイズ:W750 × D1,350 × H1,800 mm
DAL7440
DAL7440

今後の予定

2018年3月(予定) アメリカ拠点・DISCO HI-TEC AMERICA, INC.ノースカロライナオフィスへのテストカット機移設

ラインアップ:DAL7420

Φ6 inchインゴット対応KABRAプロセス用レーザソー

  • 装置サイズ:W600 × D1,045 × H1,778 mm
DAL7420
DAL7420

お問い合わせ

株式会社ディスコ 広報室


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