金属などの延性材料や樹脂、それらの複合材料を高精度に平坦化し、バンプ等の高さバラツキや表面粗さによる問題を解決します。
金属 | 樹脂 | その他 | |
加工性 優 | Au Cu 半田 |
フォトレジスト (ポジ型、ネガ型) ポリイミド |
左記材質の複合材 |
加工性 難 | Ni(電解) Fe |
フィラー入り樹脂 | Si ガラス セラミックス |
※ 実際の加工性はワークにより異なります。詳しくは当社営業担当へお問い合わせください。
次世代SiP等におけるAuバンプの高さバラツキを低減し、Au-Au接合時の低ストレス化(低温・低荷重)を実現します。
平坦化前
バンプ高さバラツキ | 1.7 µm |
バンプ面粗さ(Rz) | 1.373 µm |
平坦化後
バンプ高さバラツキ | 0.5 µm |
バンプ面粗さ(Rz) | 0.039 µm |
LED蛍光体樹脂の厚みバラツキは、LEDの色むらの原因となります。ダイヤモンドバイトにより樹脂とバンプを高精度に一括平坦化することで、LED発色の安定化に寄与します。
ハイバンプ付きウェーハなど、デバイス面の段差が大きいウェーハでは、裏面研削後のウェーハ面内厚みバラツキが大きくなります。研削前にバイト切削を用いて表面保護テープの凹凸を除去することで、研削後のウェーハ平坦度が向上します。
仕様 | 単位 | ||
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対応ワークサイズ | - | Φ8 inch | |
スピンドル軸数 | - | 1 | |
チャックテーブル数 | - | 1 | |
搬送・洗浄機構 | - | なし | |
加工精度 | TTV | µm | 2.0以下 |
チップ(5 mm角)内のバンプ高さバラツキ | µm | 1.0以下 | |
切削面粗さ | µm | Ra 0.02以下 | |
装置寸法(W × D × H) | mm | 500 x 1,250 x 1,780 | |
装置質量 | kg | 約800 |
※ ご使用にあたっては、あらかじめ標準仕様書をご確認下さい。
※ 各事項、および仕様は改良のため、断りなく変更することがあります。
ご質問・ご相談等ございましたら、お気軽にお問い合わせ下さい。